BSZ018NE2LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ018NE2LSATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N03L5SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ018NE2LSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |