BSZ018NE2LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ018NE2LSATMA1 bằng Infineon và ISC011N03L5SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon
BSZ018NE2LSATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ018NE2LSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |