BSZ018NE2LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ018NE2LSATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ018NE2LSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |