BSZ018NE2LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ018NE2LSATMA1 מאת Infineon ו ISC011N03L5SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ018NE2LSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |