BSZ0904NSIATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ0904NSIATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ0904NSIATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS (N-channel power MOSFET) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 4 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Power Dissipation at Ta 2.1 W —
Power Dissipation at Tc 37 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C -55°C to +175°C (TJ)
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Integrated Schottky-like Diode Yes (monolithic) —
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Lead Plating Pb-free —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

डेटाशीट और संसाधन

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