BSZ0904NSIATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ0904NSIATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L033ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ0904NSIATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS (N-channel power MOSFET) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 4 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Power Dissipation at Ta 2.1 W —
Power Dissipation at Tc 37 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55°C to +175°C (TJ)
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Integrated Schottky-like Diode Yes (monolithic) —
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Lead Plating Pb-free —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں