EDB1332BDBH-1DAUT-F-D vs EDB5432BEBH-1DAUT-F-D तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EDB1332BDBH-1DAUT-F-D द्वारा Micron Technology और EDB5432BEBH-1DAUT-F-D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ सक्रिय
Micron Technology
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB5432BEBH-1DAUT-F-D
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $2.16 —
मेमोरी प्रकार SDRAM - Mobile LPDDR2 Mobile LPDDR2 SDRAM
मेमोरी आकार 1 Gbit 512 Mbit
संगठन 32M x 32 16M x 32
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Core Supply Voltage 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V 1.14 V to 1.95 V
Access Mode Single Bank Page Burst —
पैकेज 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Number of Terminals 134 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive Automotive
Package Shape Rectangular Rectangular
Packaging Suffix -D (Dry Pack) —
Moisture Sensitivity Dry Pack (per -D suffix) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Core Voltage — 1.2 V (typical, LPDDR2)
Terminals — 134 balls
Terminal Form — Ball (VFBGA)
RoHS Code — Yes (D suffix, lead-free)
Part Life Cycle Code — Active
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Standard Qty per Reel/Tray — [DATA_NEEDED: packaging standard quantity]

डेटाशीट और संसाधन

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