EP1SGX25DF800C6N vs EP1SGX40GF800C7N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1SGX25DF800C6N द्वारा Intel और EP1SGX40GF800C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP1SGX25DF800C6N EP1SGX40GF800C7N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete Obsolete
Family Stratix GX Stratix GX
Logic Elements 25,560 LEs 41,250
Maximum Transceiver Channels 20 channels —
Maximum Transceiver Data Rate 3.1875 Gbps —
पैकेज FBGA-780 (FineLine BGA, 800-ball per JEDEC ordering code) 800-ball FineLine BGA (FBGA-800)
Process Node [DATA_NEEDED: process node] —
Core Voltage 1.5 V 1.5 V
ऑपरेटिंग तापमान Commercial (0 C to +85 C) —
Speed Grade 6 7 (commercial, fastest)
Configuration Method Passive Serial / Passive Parallel / Active Serial / JTAG —
Transceiver Encoding 8B/10B —
Clock Data Recovery (CDR) Yes, integrated per channel —
मेमोरी प्रकार TriMatrix embedded SRAM —
DSP Blocks Yes, embedded multiplier blocks 624
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Lead Free [DATA_NEEDED: lead free status] —
Embedded Memory Bits — 3,423,744 bits
Multi-Gigabit Transceivers — 20 channels, up to 3.1875 Gbps
PLLs — 4
Maximum User I/O Pins — [DATA_NEEDED: max user I/O count]
Process Technology — 130 nm CMOS
I/O Voltage — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (LVTTL/LVCMOS/LVDS)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — 0C to +85C
Configuration Mode — Passive Serial / Fast Passive Parallel / Passive Parallel Asynchronous / JTAG
Memory Interfaces Supported — DDR, DDR2, QDR, RLDRAM

डेटाशीट और संसाधन

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