EP20K200CB356C8ES vs EP20K100CB356C8ES तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP20K200CB356C8ES द्वारा Intel और EP20K100CB356C8ES द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP20K200CB356C8ES | EP20K100CB356C8ES |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | NRND |
| Series | APEX 20KC | — |
| Family | APEX 20KC MultiCore Interconnect FPGA | APEX 20K |
| System Gates | 200,000 | — |
| Logic Elements / Cells | 8,320 | — |
| User I/O Count | 271 | — |
| Core Voltage | 1.8 V | — |
| Process Technology | 0.15 µm | — |
| Operating Frequency (max) | 301.21 MHz | — |
| Package Type | 356-LBGA (Ball Grid Array) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C (Commercial) | 0C to +85C (Commercial) |
| Speed Grade | C8 (8 ns) | 8 |
| मेमोरी प्रकार | SRAM-based, Embedded System Blocks (ESBs) | — |
| Programming Interface | JTAG / ByteBlaster / USB-Blaster | — |
| Design Software | Quartus II / MAX+PLUS II | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: rohs status] | [DATA_NEEDED: rohs status] |
| Embedded Memory | Yes (ESBs) | — |
| Logic Elements | — | 4160 |
| Typical Gates | — | 100000 |
| Maximum User I/O | — | 252 |
| Embedded Array Blocks (EABs) | — | 26 |
| Total RAM Bits | — | 53248 |
| पैकेज | — | 356-ball BGA |
| MSL स्तर | — | 3 (168 Hours) |
| Part Status Note | — | Engineering Sample (ES) |
| Core Voltage (typical) | — | 2.5 V |
| I/O Voltage (typical) | — | 3.3 V |
| Configuration Interface | — | JTAG (IEEE 1149.1) |