EP3SE260F1517C2G vs EP3SE260F1517C3N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260F1517C2G द्वारा Intel और EP3SE260F1517C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260F1517C2G | EP3SE260F1517C3N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | अंतिम बार खरीदें |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 254,400 | 254,400 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 81,760 | — |
| Total Memory Bits | 16,727,680 (16.67 Mbit) | — |
| Embedded Memory (M9K Blocks) | 864 | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 768 | — |
| User I/O Pins | 976 | — |
| Transceiver Channels | 12 | — |
| Transceiver Data Rate (max) | 3.75 Gbps (C2 grade) | — |
| PLLs (Fractional + Clock Multiplier) | 8 fractional + 4 CMU | — |
| Global Clock Networks | 20 | 16 |
| पैकेज | 1517-ball FCBGA, 40x40 mm | 1517-BBGA (FCBGA) |
| Speed Grade | C2 (commercial, ~6 ns) | C3 (commercial) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to 85C (commercial, "C" suffix) | — |
| Process Node | 40 nm TSMC | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Embedded Memory | — | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) |
| User I/Os | — | 976 |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | — | 816 |
| M9K Memory Blocks | — | 1,040 |
| Maximum Transceiver Data Rate | — | 600 Mbps |
| PLLs | — | 4 |
| Process Technology | — | 65 nm TSMC low-power CMOS |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | 0 C to +85 C (commercial) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| External Memory Interfaces | — | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 |