H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-PBC द्वारा SK hynix और H5AN4G8NBJR-UHI द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | Self-refresh and auto-refresh support |
| Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| डेटा दर | — | 2400 MT/s |
| इंटरफ़ेस | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |