H5AN4G8NBJR-RDC vs MT40A512M8RH-083E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-RDC द्वारा SK hynix और MT40A512M8RH-083E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G8NBJR-RDC | MT40A512M8RH-083E |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (Double Data Rate IV) | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| RoHS स्थिति | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Industry Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Clock Rate | — | 1.2 GHz |
| Internal Banks | — | 8 banks (2 groups of 4) |
| Prefetch | — | 8n-bit |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| I/O Structure | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal, adjustable generation |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +95C |
| FBGA Code | — | D9TGG |
| Marking Code | — | D9TGG |
| Data Strobe Preamble | — | Programmable |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] |