H5AN4G8NBJR-RDC vs MT40A512M8RH-083E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN4G8NBJR-RDC بذریعہ SK hynix اور MT40A512M8RH-083E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN4G8NBJR-RDC | MT40A512M8RH-083E |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| انٹرفیس | DDR4 (Double Data Rate IV) | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| سپلائی وولٹیج | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| ڈیٹا ریٹ | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Industry Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Clock Rate | — | 1.2 GHz |
| Internal Banks | — | 8 banks (2 groups of 4) |
| Prefetch | — | 8n-bit |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| I/O Structure | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal, adjustable generation |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C |
| FBGA Code | — | D9TGG |
| Marking Code | — | D9TGG |
| Data Strobe Preamble | — | Programmable |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] |