H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G4NAFR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G4NAFR-PBC द्वारा SK hynix और H5AN8G4NAFR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G4NAFR-PBC | H5AN8G4NAFR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| संगठन | 2Gb x 4 | 1G x 4 |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V +/- 0.06 V | — |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) | — |
| Speed Bins (per datasheet) | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) | — |
| Bank Groups | 4 (BG0-BG1) | — |
| Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Row Address | A0-A16 (17 bits) | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (RoHS Compliant per datasheet) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Lead-Free) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] | — |
| Geardown Mode Note | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Rate Class | — | [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] |
| इंटरफ़ेस | — | Synchronous, differential clock CK_t/CK_c |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |