H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G4NAFR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G4NAFR-PBC توسط SK hynix و H5AN8G4NAFR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G4NAFR-PBC | H5AN8G4NAFR-RDC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| سازمان | 2Gb x 4 | 1G x 4 |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V +/- 0.06 V | — |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) | — |
| Speed Bins (per datasheet) | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) | — |
| Bank Groups | 4 (BG0-BG1) | — |
| Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Row Address | A0-A16 (17 bits) | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (RoHS Compliant per datasheet) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free) |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] | — |
| Geardown Mode Note | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Rate Class | — | [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] |
| رابط | — | Synchronous, differential clock CK_t/CK_c |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |