H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G4NAFR-RDC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G4NAFR-PBC מאת SK hynix ו H5AN8G4NAFR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ פעיל
SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-RDC
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה DRAM Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8Gb
ארגון 2Gb x 4 1G x 4
Interface Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V +/- 0.06 V —
Wordline Pump Voltage (VPP) 2.5 V (+0.25/-0.125 V) —
Speed Bins (per datasheet) DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) —
Bank Groups 4 (BG0-BG1) —
Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Row Address A0-A16 (17 bits) —
מארז 78-ball FBGA FBGA-78
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (RoHS Compliant per datasheet) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Lead-Free)
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] —
Geardown Mode Note DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Rate Class — [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin]
ממשק — Synchronous, differential clock CK_t/CK_c
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
נטול הלוגנים — Yes
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard
Manufacturer — SK hynix
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר