H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCR-VKC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG6NCMR-XNI द्वारा SK hynix और H5ANAG6NCR-VKC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ सक्रिय
SK hynix
H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCR-VKC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
डेटा दर 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM CMOS
Power Class Normal Power —
पैकेज FBGA-96 96-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
इंटरफ़ेस Parallel (DDR4) DDR4 (Double Data Rate 4)
Product Status Active —
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Memory Density — 16 Gbit
संगठन — 2G x 8
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Application — Main memory (PC / server / embedded)
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]

डेटाशीट और संसाधन

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