H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG6NCMR-XNI توسط SK hynix و H5ANAG6NCR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5ANAG6NCMR-XNI | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM | CMOS |
| Power Class | Normal Power | — |
| بستهبندی | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel (DDR4) | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Product Status | Active | — |
| Application Domain | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Speed Bin Family | UH/VK/WM/XN | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| VPP Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| سازمان | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |