H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63AFR-PBJ तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix और H5TC4G63AFR-PBJ द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBJ
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
संगठन 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
डेटा दर DDR3-1600 (PC3L-12800) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
CAS लेटेंसी Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C —
पैकेज 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball TFBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
Number of Terminals 96 96
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
मेमोरी आकार — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध