H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63AFR-PBJ مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix و H5TC4G63AFR-PBJ بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| معدل البيانات | DDR3-1600 (PC3L-12800) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball TFBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |