H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-H9A तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-H9I द्वारा SK hynix और H5TC4G63CFR-H9A द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9A
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V —
I/O Voltage 1.35 V —
डेटा दर 1866 Mbps (PC3-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
पैकेज 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 96
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
हैलोजन फ्री Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
CAS लेटेंसी Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length 8 and 4 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
RoHS स्थिति — Compliant
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध