H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-H9A Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63CFR-H9I sa pamamagitan ng SK hynix at H5TC4G63CFR-H9A sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Nakahanda
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9A
Brand SK hynix SK hynix
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Uri ng Memory DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organisasyon 256M x 16 256M x 16
Volte ng Pagbibigay 1.35 V —
I/O Voltage 1.35 V —
Rate ng Data 1866 Mbps (PC3-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Packhaging 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 96
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
Wala sa Halogen Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Latensya ng CAS Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length 8 and 4 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
Hanay ng Temperature na Operasyon — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Tindminan RoHS — Compliant
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita