H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-H9A مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-H9I بواسطة SK hynix و H5TC4G63CFR-H9A بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9A
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35 V —
I/O Voltage 1.35 V —
معدل البيانات 1866 Mbps (PC3-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
العلبة 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 96
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
خالٍ من الهالوجين Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
زمن الوصول CAS Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length 8 and 4 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
حالة RoHS — Compliant
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر