IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC60N10S5L110ATMA1 द्वारा Infineon और IPB35N10S3L26ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUC60N10S5L110ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™-5 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
पैकेज PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] -55C to +175C
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
MSL स्तर 1 (per LCSC datasheet snippet) —
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product classification) —
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Product Family — OptiMOS Power-Transistor
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
पल्स्ड ड्रेन करंट — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
पिन की संख्या — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
RoHS स्थिति — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

डेटाशीट और संसाधन

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