IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N10S5L110ATMA1 tarafından Infineon ve IPB35N10S3L26ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC60N10S5L110ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™-5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
Paket PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] -55C to +175C
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
MSL Seviyesi 1 (per LCSC datasheet snippet) —
Klorürsüz Yes (per Infineon product classification) —
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Product Family — OptiMOS Power-Transistor
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
Pulsed Dræn Akımı — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
Pin Sayısı — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
RoHS Durumu — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin