IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7N024TATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN10S7L290TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 - 80V 2.44mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN08S7N024TATMA1 | IAUCN10S7L290TATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 165 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 157 W | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 2.44 mOhm | — |
| पैकेज / केस | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Top-side cooled | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q100 qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ] | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 27 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 28.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 45 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | — | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| ESD Protection | — | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) |