IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N024TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7L290TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Paket / Kas PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q100 qualified
RoHS Durumu Compliant —
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Product Family — OptiMOS™ 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 27 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 28.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 45 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Paket — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
ESD Protection — HBM Class 1C (per Infineon datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin