IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S5L280DATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L018ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| पिन काउंट | 8 | — |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |