IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L018ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |