IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S5L280DATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L018ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |