IAUS300N08S5N012 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUS300N08S5N012 द्वारा Infineon और IAUT300N08S5N012ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUS300N08S5N012 IAUS300N08S5N012 - 80V 300A 1.2mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N012 - 80V 300A 1.2mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N012 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUS300N08S5N012 IAUT300N08S5N012ATMA2
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 300 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V 1.2 mΩ typical —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.8 V at 275 µA —
Power Dissipation (PD) at TC 375 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ)
पैकेज PG-HSOG-8-1 (Surface Mount) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) Compliant
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
Technology OptiMOS 5 planar trench —
Terminals 8 —
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V

डेटाशीट और संसाधन

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