IAUS300N08S5N012 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUS300N08S5N012 توسط Infineon و IAUT300N08S5N012ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUS300N08S5N012 IAUT300N08S5N012ATMA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 300 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V 1.2 mΩ typical —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.8 V at 275 µA —
Power Dissipation (PD) at TC 375 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ)
بسته‌بندی PG-HSOG-8-1 (Surface Mount) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) Compliant
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
Technology OptiMOS 5 planar trench —
Terminals 8 —
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت