IAUS300N08S5N012 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUS300N08S5N012 بذریعہ Infineon اور IAUT300N08S5N012ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUS300N08S5N012 IAUT300N08S5N012ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 300 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V 1.2 mΩ typical —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.8 V at 275 µA —
Power Dissipation (PD) at TC 375 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ)
پیکیج PG-HSOG-8-1 (Surface Mount) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) Compliant
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
Technology OptiMOS 5 planar trench —
Terminals 8 —
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں