IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IPG20N06S4L14AATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUT300N08S5N012ATMA2 द्वारा Infineon और IPG20N06S4L14AATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUT300N08S5N012ATMA2 | IPG20N06S4L14AATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| पैकेज | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant | Green Product (RoHS compliant) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Part Number | — | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| FET Type | — | 2 N-Channel (Dual) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 50 W |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 13.7 mΩ typical |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | 14 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes |
| Peak Reflow Temperature | — | 260°C |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |
| Technology | — | OptiMOS™ Trench |