IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IPG20N06S4L14AATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUT300N08S5N012ATMA2 מאת Infineon ו IPG20N06S4L14AATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUT300N08S5N012ATMA2 | IPG20N06S4L14AATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| מארז | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant | Green Product (RoHS compliant) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Part Number | — | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| FET Type | — | 2 N-Channel (Dual) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 50 W |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 13.7 mΩ typical |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | 14 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes |
| Peak Reflow Temperature | — | 260°C |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |
| Technology | — | OptiMOS™ Trench |