IAUTN04S7N003ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUTN04S7N003ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 IAUTN04S7N003ATMA1 - 40V 350A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUTN04S7N003ATMA1 - 40V 350A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUTN04S7N003ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUTN04S7N003ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A 130 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 357 W 118 W
RDS(on) max at VGS=10V 0.24 mOhm (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Avalanche Single-Pulse Current [DATA_NEEDED: IAS] —
Body Diode Continuous Forward Current 350 A (Tj = 25 °C) —
Body Diode Pulse Current 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C) —
Body Diode Forward Voltage (VSD) 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A —
Reverse Recovery Time (trr) 83 ns typical / 125 ns max —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 126 nC typical / 252 nC max —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
पैकेज PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

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