IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUZ40N08S5N100ATMA1 द्वारा Infineon और BSC052N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.5-3.0 V |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |