IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZ40N08S5N100ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUZ40N08S5N100ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS-5 N-Channel MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 40 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 68 W —
On-Resistance RDS(on) max 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.5-3.0 V
Total Gate Charge Qg typ 24.2 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 1591 pF @ VDS=40 V —
Gate-Source Voltage VGS max ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) —
پیکیج PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں