IKD10N60RC2ATMA1 vs IKD04N60RATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IKD10N60RC2ATMA1 द्वारा Infineon और IKD04N60RATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 - 600V 8A RC-Drives IGBT w/ Diode | Infineon

IKD04N60RATMA1 - 600V 8A RC-Drives IGBT w/ Diode | Infineon

IKD04N60RATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IKD10N60RC2ATMA1 IKD04N60RATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी IGBTs IGBTs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Collector-Emitter Voltage (V_CE) 600 V —
Continuous Collector Current (I_C nom) 10 A —
Pulsed Collector Current (I_Cp) 18.8 A —
Maximum Power Dissipation (P_tot) 79 W —
Technology TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode) —
Integrated Diode Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed —
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +175 C (junction) -40C to +150C
Gate-Emitter Voltage (V_GE) [DATA_NEEDED: recommended V_GE value] —
V_CE(sat) at I_C [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)] —
Switching Frequency (typical) 10 - 30 kHz (hard-switching) —
Short-Circuit Withstand Time [DATA_NEEDED: t_sc rating] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Qualification Industrial (qualified per Infineon product validation) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — RC-Drives
ट्रांज़िस्टर प्रकार — IGBT - Trench Field Stop with integrated diode
Collector-Emitter Voltage (VCES) — 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25C — 8 A
Pulsed Collector Current (ICM) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Gate-Emitter Voltage (VGES) — [DATA_NEEDED: gate-emitter voltage rating]
VCE(sat) at IC=4A, VGE=15V — [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical at 4A]
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th)]
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes
पिन काउंट — 3 (2 leads + tab)
Configuration — Single
MSL स्तर — 1
Technology Target — Consumer drives / motor control

डेटाशीट और संसाधन

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