IPA60R180P7SXKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPA60R180P7SXKSA1 द्वारा Infineon और IPL60R105P7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPA60R180P7SXKSA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | 33 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 180 mOhm (max at 25C) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 26 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| पैकेज | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Configuration | Single | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |