IPA60R180P7SXKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPA60R180P7SXKSA1 tarafından Infineon ve IPL60R105P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPA60R180P7SXKSA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | 33 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 180 mOhm (max at 25C) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 26 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Paket | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Configuration | Single | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Klorürsüz | — | Yes |