IPA60R180P7SXKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPA60R180P7SXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPA60R180P7SXKSA1 IPL60R105P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A 33 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 180 mOhm (max at 25C) —
Power Dissipation (PD) at Tc 26 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
پیکیج PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Channel Type N-Channel N-Channel
Configuration Single —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں