IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB017N10N5LFATMA1 द्वारा Infineon और IPB038N12N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB017N10N5LFATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB017N10N5LFATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 180 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | 313 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | 1.7 mΩ (max) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज / केस | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | Yes (OptiMOS Linear FET) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |