IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB017N10N5LFATMA1 tarafından Infineon ve IPB038N12N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB017N10N5LFATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 180 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | 313 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | 1.7 mΩ (max) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Paket / Kas | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | — |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | Yes (OptiMOS Linear FET) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |