IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB017N10N5LFATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB038N12N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB017N10N5LFATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 180 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | 313 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | 1.7 mΩ (max) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| پیکیج / کیس | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | — |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | Yes (OptiMOS Linear FET) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |