IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB020NE7N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPB025N10N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS
IPB020NE7N3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB020NE7N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | 300 W |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |