IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB020NE7N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB025N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB020NE7N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | 300 W |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| Paket | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Klorürsüz | — | Yes |