IPB039N10N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB039N10N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPB025N10N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB039N10N3GATMA1 - 100V 160A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB039N10N3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB039N10N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 160 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 214 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 3.9 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd typ] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS / Halogen-Free Status | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Series / Family | OptiMOS 3 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |