IPB039N10N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB039N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB025N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB039N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 160 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 214 W —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 3.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd typ] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Paket PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
RoHS / Halogen-Free Status RoHS compliant, halogen-free —
Series / Family OptiMOS 3 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
RoHS Durumu — Compliant
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin