IPB073N15N5ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB073N15N5ATMA1 द्वारा Infineon और IPB110P06LMATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB073N15N5ATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 5 (superjunction trench) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 114 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.3 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissition (PD) at Tc=25°C | 214 W | — |
| पैकेज | PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (junction) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| पैकेज / केस | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |